收藏本站
SUB75P03-07, SUP75P03-07
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
250
V GS = 10 V thru 6 V
200
T C = - 55 °C
200
160
25 °C
125 °C
5V
150
120
100
50
0
4V
3V
80
40
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
150
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.030
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
T C = - 55 °C
0.025
120
25 °C
125 °C
0.020
90
0.015
V GS = 4.5 V
60
0.010
V GS = 10 V
30
0
0.005
0
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
12 000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
10 000
C iss
16
V DS = 15 V
I D = 75 A
8000
12
6000
8
4000
C oss
2000
4
0
C rss
0
0
6
12
18
24
30
0
50
100
150
200
250
300
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71109
S10-2429-Rev. E, 25-Oct-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUP90N08-7M7P-E3 MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
SUP90P06-09L-E3 MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
SUV85N10-10-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SV-LED-125E HEATSINK DEGREASED 25.4MM
SV21C201BJA01B00 ROTARY POS SENSOR 200 DEGREE
SX1210I084T IC SINGLE-CHIP RECEIVER 32-TQFN
SX1211SK915 KIT STARTER FOR SX1211 915MHZ
SX1211SKA915 KIT STARTER FOR SX1211 915MHZ
相关代理商/技术参数
SUP75P03-08 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P03-08-E3 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P05-08 功能描述:MOSFET 55V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P05-08 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220
SUP75P05-08-E3 功能描述:MOSFET 55V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P05-08-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET, -55V, 75A, TO-220AB
SUP80N15-20L 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) 175∑C MOSFET
SUP85N02-03 功能描述:MOSFET 20V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube